ae-mic/AE-162D 用于超高速芯片電阻測試特征？

更新時間：2023-12-06

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AE-162D 用于超高速芯片電阻測試

非常適合 D、F、G、J、K 級、片式、MELF、

徑向和軸向電阻器的分選機和編帶機。

由于模擬部分與數(shù)字部分的隔離提高了抗噪性，因此穩(wěn)定性高

兼容極小芯片（低功耗測量）

超高速0.7msec.（典型值）

熱電動勢抵消測量帶來高精度和穩(wěn)定性

通過每個量程的測量值積分時間設(shè)置功能，實現(xiàn)超高速和高穩(wěn)定性測量。

%測量：±99.99% [5mΩ ~ 109MΩ]

絕對測量：0.00mΩ~200.00MΩ

接觸檢查：測量前/測量后/關(guān)閉可選

RS-232C接口標準設(shè)備（GP-IB可選）

打印機輸出標準設(shè)備（Centronics兼容）

標準設(shè)置值傳輸功能：（相同的設(shè)置數(shù)據(jù)可以傳輸?shù)搅硪慌_AE-162D以進行自動設(shè)置。）

標準配備測量電流/測量電壓異常檢查電路

測量范圍和基本精度（環(huán)境溫度23℃±5℃），校準后180天[校準后1年：1.5倍]

測量范圍	標準值設(shè)定范圍	測量電流	測量精度^*
測量范圍	標準值設(shè)定范圍	測量電流	慢的	快速地
100毫歐	5mΩ～100mΩ	100毫安	±0.02%±2a±2d以內(nèi)	±0.03%±3a±2d±[2/(1+n)]d以內(nèi)
1Ω	100.1mΩ～1Ω	100毫安	±0.02%±a±1d以內(nèi)	±0.02%±a±2d±[2/(1+n)]d以內(nèi)
10Ω	1.001Ω～10Ω	50毫安	±0.02%±a±1d以內(nèi)	±0.02%±a±2d±[2/(1+n)]d以內(nèi)
100Ω	10.01Ω～100Ω	10毫安	±0.02%±1d以內(nèi)	±0.02%±2d±[1/(1+n)]d以內(nèi)
1kΩ	100.1Ω～1kΩ	5毫安
10kΩ	1.001kΩ～10kΩ	0.5毫安
100kΩ	10.01kΩ～100kΩ	50μA
1兆歐	100.1kΩ～1MΩ	5μA		±0.05%±2d±[1/(1+n)]d以內(nèi)
10兆歐	1.001MΩ～10MΩ	0.5μA	±0.03%±1d以內(nèi)	±0.2%±4d±[1/(1+n)]d以內(nèi)
100兆歐	10.01MΩ～109MΩ	0.05μA	±0.1%±2d以內(nèi)	────

* d = 位數(shù)，n = 積分時間（毫秒），% 測量：α =（100/標準設(shè)定值 mΩ）x 0.01%，絕對值測量：α = 0（加上 ±1d） *
屏蔽時的完整精度

測量時間	外部啟動		自由奔跑
	慢的	快速地	慢的	快速地
	約18毫秒～400毫秒	約0.7毫秒～400毫秒	約30次/秒～約2次/秒	約 60 次/秒至約 2 次/秒

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